CVD管式爐

更新時間： 2024-08-27

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產品報價：

產品簡介： CVD管式爐設備由沉積溫度控件、沉積反應室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據用戶需要設計生產，CVD系統除了主要應用在碳納米材料制備行業(yè)外，現在正在使用在許多行業(yè)，包括納米電子學、半導體、光電工程的研發(fā)、涂料等領域。

詳細資料：

CVD管式爐此款CVD生長系統適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。

產品組成：

此款CVD系統配置：

1.1200度開啟式真空管式爐（可選配單溫區(qū)、雙溫區(qū)）。

2.多路質量流量控制系統

3.真空系統（可選配中真空或高真空）

CVD管式爐產品特點：

1 控制電路選用模糊PID程控技術，該技術控溫精度高，熱慣性小，溫度不過沖，性能可靠，操作簡單。

2 氣路快速連接法蘭結構采用本公司*的知識產權設計,提高操作便捷性。

3 中真空系統具有真空度上下限自動控制功能，高真空系統采用高壓強，耐沖擊分子泵防止意外漏氣造成分子泵損壞，延長系統使用壽命。

技術參數：

系統名稱	1200℃單/雙溫區(qū)CVD系統
系統型號	CVD-12II-3Z/G	CVD-12II6-3Z/G
極限溫度	1200℃
加熱區(qū)長度	420mm	600mm
恒溫區(qū)長度	280mm	390mm
溫區(qū)	雙溫區(qū)	雙溫區(qū)
石英管管徑	Φ50/Φ60/Φ80mm	Φ80/Φ100mm
額定功率	3.2Kw	4.8Kw
額定電壓	220V
溫度控制	國產程序控溫系統50段程序控溫；
控制精度	±1℃
爐管極限工作溫度	＜1200℃
氣路法蘭	密封法蘭與管件連接的地方采用多環(huán)密封技術，在密封法蘭與管外壁間形成了密封，在管件外徑誤差較大的情況下密封仍然有效，該密封法蘭的安裝只需在*使用設備的時候安裝
氣體控制方式	質量流量計
氣路數量	3路（可根據具體需要選配氣路數量）
流量范圍	0-500sccm(標準毫升/分，可選配）氮氣標定
精度	±1%F.S
響應時間	≤4sec
工作溫度	5-45℃
工作壓力	進氣壓力0.05-0.3Mpa(表壓力）
系統連接方式	采用KF快速連接波紋管、高真空手動擋板閥及數顯真空測量儀
規(guī)格	高真空
系統真空范圍	1x10-3Pa-1x10-1Pa
真空泵	真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1200L/S額定電壓220V 功率2KW	真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1600L/S額定電壓220V 功率2KW


爐體外形尺寸	340×580×555mm	480×770×605mm
系統外形尺寸	530x1440x750mm(不含高真空)
系統總重量	330kg